Er 掺杂 GaN 外延层中光学增益的观测
应用物理
2020-02-12 v1 材料科学
摘要
GaN 半导体在 1.5 微米通信波长下的稀土基激光作用已在室温下得到演示。我们报道了由金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层在带隙以上激发下的受激辐射。利用可变条纹技术，通过发射强度作为泵浦强度、激发长度和谱线宽变窄函数的阈值行为特征，证明了受激辐射的观测。利用可变条纹装置，在 GaN:Er 外延层中获得了高达 75 cm 的光学增益。GaN 半导体的近红外激光为光电子器件扩展功能与集成能力开辟了新可能。
引用
@article{arxiv.2002.04203,
title = {Observation of Optical Gain in Er-Doped GaN Epilayers},
author = {V. X. Ho and Y. Wang and B. Ryan and L. Patrick and H. X. Jiang and J. Y. Lin and N. Q. Vinh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.04203},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 3 figures