GaN 量子发射体的高效准共振偏振选择激发
材料科学
2026-05-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
GaN 中的缺陷中心作为单光子的明亮源出现，最近已被证明可与局域自旋进行光学接口。然而，这些缺陷的结构和组成及其有效激发技术尚未得到深入研究。这项工作提供了证据表明，通过将激发激光能量调谐到特定的共振值，可以提高激发效率，导致光致发光强度相对增加高达一个数量级。这些共振可以用线偏振光选择性地寻址，而发射偶极子保持不变，从而实现偏振控制的增强。这些结果为基于 GaN 的发射体建立了一种有效的激发方式，从而提高了光子的生成率。数据与通过点缺陷复合物相关的局域振动模式进行的激发相一致，为更明亮、可偏振寻址的 GaN 缺陷发射体操作建立了一条实用的准共振途径，并阐明了它们的能级结构。
引用
@article{arxiv.2605.04927,
title = {Efficient Quasi-Resonant, Polarization-Selective Excitation of GaN Quantum Emitters},
author = {Nilesh Dalla and Paweł Kulboka and Michał Kobecki and Jan Misiak and Paweł Prystawko and Tomasz Kazimierczuk and Piotr Kossacki and Henryk Turski and Tomasz Jakubczyk},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.04927},
year = {2026}
}
备注
19 pages, 5 figures