GaN 外延层中 Er 光学中心的发光量子效率
材料科学
2016-11-29 v1
摘要
我们报道了通过金属有机化学气相沉积制备的 GaN 外延层中 Er 光学中心的发光过程量子效率以及热猝灭机制。进行了 GaN 中 Er 离子在共振激发下的高分辨率红外光谱和光致发光强度温度依赖性测量。数据提供了热猝灭过程和激活能级的图像。通过将外延层中 Er 离子的光致发光与 Er 掺杂 SiO2 参考样品进行比较，我们发现共振光学激发下发射 1.54 micron 光子的 Er 离子比例约为 68%。该结果为实现 GaN:Er 外延层作为 1.54 micron 光学增益介质迈出了重要一步。
引用
@article{arxiv.1611.08620,
title = {Photoluminescence quantum efficiency of Er optical centers in GaN epilayers},
author = {V. X. Ho and T. V. Dao and H. X. Jiang and J. Y. Lin and J. M. Zavada and S. A. McGill and N. Q. Vinh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08620},
year = {2016}
}
备注
Scientific Reports, 2016