Si:Er:O 沉积薄膜在 1.55 微米处的光学活性
材料科学
2012-02-03 v1 光学
摘要
采用物理气相沉积技术在晶体硅上制备了掺 Er 和 O 的硅薄膜，并通过 Ar+ 和 O2+ 注入进行离子束混合和氧掺入，随后进行热退火。工艺步骤经过调整以兼容标准 CMOS 工艺，且制造成本显著低廉，适用于制备基于硅的红外发射器的光学活性介质。Si:Er:O 薄膜在室温下表现出强烈的光致发光，类似于光纤材料中 Stark 分裂的 Er+3 离子 1.55 微米能带。通过卢瑟福背散射谱测定了浓度分布。研究发现光致发光信号随 O 与 Er 比率的增加而增强。离子注入有效地增强了 Er 的热扩散并改善了其光学激活。
引用
@article{arxiv.1202.0522,
title = {Optical Activity at 1.55 micron in Si:Er:O Deposited Films},
author = {Sufian Abedrabbo and Anthony Fiory},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.0522},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 4 figures