氧对氢化非晶/晶硅薄膜光学信号影响的研究
材料科学
2021-03-17 v1 应用物理
摘要
我们从结构和光学性质方面研究了氧对氢化非晶硅薄膜的影响。在不同微晶与非晶过渡区制备了不同的氢化硅氧(SiO:H)和硅(Si:H)薄膜。采用X射线衍射、拉曼、FTIR和UV-Vis发射光谱对不同薄膜进行表征。将结果与氢化非晶氧化硅(a-SiO:H)、氢化非晶硅(a-Si:H)和微晶硅(c-Si:H)等不同类型薄膜的比较表明，它们作为太阳能电池的优良材料具有优越性。X射线衍射、FTIR和拉曼光谱分析表明，H稀释效应的差异对薄膜的结构和光学性质有主要影响。非晶硅氧和硅氢合金薄膜的光致发光分析确立了其作为硅基发光器件的高效适用应用。1.83 eV的大光学带隙和在2.0 eV处出现强光致发光验证了a-SiO:H薄膜作为太阳能电池更好替代材料的适用性。
引用
@article{arxiv.2011.03930,
title = {Studies on optical signal due to oxygen effect on hydrogenated amorphous/crystalline silicon thin-films},
author = {Meenakshi Rana and Chandan Banerjee and Papia Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.03930},
year = {2021}
}
备注
Oxygen effect have been studied on hydrogenated amorphous/crystalline silicon thin-films for solar cell applications