迈向功能化超薄氧化物薄膜：表面顶氧的影响
材料科学
2022-02-23 v1 强关联电子
摘要
过渡金属氧化物薄膜为超越硅、具有新颖电子功能的纳米级电子器件打开了大门。尽管此类薄膜通常在氧气氛围中制备，但它们通常被认为具有化学计量组成的理想终止面。以原型关联金属SrVO为例，表明这一理想化描述忽略了一个关键要素：吸附于表面顶位的氧。证明这些氧吸附原子即使在超高真空环境中也持续存在，并严重影响了过渡金属氧化物薄膜的本征电子结构。它们的存在导致形成电子死表面层，同时也改变了薄膜中的能带填充与电子关联。这些发现凸显出，在接近单晶胞极限时，考虑表面顶氧——或以此类推——由覆盖层施加的特定氧构型，对于预测过渡金属氧化物超薄薄膜的行为十分重要。
引用
@article{arxiv.2202.10778,
title = {Toward Functionalized Ultrathin Oxide Films: the Impact of Surface Apical Oxygen},
author = {Judith Gabel and Matthias Pickem and Philipp Scheiderer and Lenart Dudy and Berengar Leikert and Marius Fuchs and Martin Stübinger and Matthias Schmitt and Julia Küspert and Giorgio Sangiovanni and Jan M. Tomczak and Karsten Held and Tien-Lin Lee and Ralph Claessen and Michael Sing},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.10778},
year = {2022}
}