抑制过量氧以实现环境稳定的非晶In-Si-O薄膜晶体管
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们基于半导体薄膜中的过量氧讨论了非晶氧化铟（InOx）基薄膜晶体管（TFT）的环境不稳定性。对非晶InOx掺杂低浓度和高浓度氧结合剂（SiO2）的比较表明，氧分子的外扩散导致薄膜电导率和TFT开启电压的剧烈变化。由于高的氧键解离能和低吉布斯自由能，掺入足够的SiO2可抑制过量氧的波动。因此，TFT工作变得相当稳定。该结果对于设计具有稳定电学性质的可靠氧化物TFT是有用的。
引用
@article{arxiv.1505.01628,
title = {Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors},
author = {Shinya Aikawa and Nobuhiko Mitoma and Takio Kizu and Toshihide Nabatame and Kazuhito Tsukagoshi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.01628},
year = {2015}
}
备注
22 pages, 5 figures, Applied Physics Letters, in press