使用超薄溶液法制备 ZrOx 介质的高性能双层金属氧化物薄膜晶体管
材料科学
2014-05-27 v2
摘要
本文报道了一种使用超薄溶液法制备 ZrOx 介质的高性能 In2O3/InZnO 双层金属氧化物 (BMO) 薄膜晶体管 (TFT)。薄层 In2O3 提供了更高的载流子浓度，从而最大化电荷积累并产生高载流子迁移率。厚层 InZnO 控制电荷电导，从而实现低关态电流和合适的阈值电压。因此，BMO TFT 表现出比单层 InZnO TFT (7.6 cm2/V s) 更高的场效应迁移率 (37.9 cm2/V s)。更重要的是，同时获得了 109 的开/关电流比、120 mV/decade 的亚阈值摆幅电压以及在 2.5 小时偏置应力下的阈值电压漂移（小于 0.4 V）。这些优异的特性是在 3 V 的低工作电压下获得的。这项工作表明，BMO TFT 作为开关晶体管和低功耗器件具有巨大的应用潜力。
引用
@article{arxiv.1405.4373,
title = {High-performance bilayer metal-oxide thin film transistors using ultra-thin solution-processed ZrOx dielectric},
author = {F. K. Shan and A. Liu and G. X. Liu and Y. Meng and B. C. Shin and E. Fortunato and R. Martins},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.4373},
year = {2014}
}
备注
This paper has been withdraw by the author due to some critical errors in one figure