单晶外延 SrTiO3 薄膜晶体管
材料科学
2010-05-18 v1 强关联电子
摘要
本文报道了使用单晶外延 SrTiO3 薄膜制备和表征薄膜晶体管 (TFT)，该薄膜通过脉冲激光沉积技术生长，随后在氧气气氛中进行热退火处理。尽管基于多晶外延 SrTiO3 薄膜（沉积态）的 TFT 表现出较差的晶体管特性，但退火后的单晶 SrTiO3 TFT 表现出与体块单晶 SrTiO3 FET 相当的晶体管特性：开关电流比 >10^5，亚阈值摆幅 ~2.1 V/decade，场效应迁移率 ~0.8 cm^2/Vs。这证明了对外延 SrTiO3 薄膜进行适当热退火处理的有效性。
引用
@article{arxiv.0912.4341,
title = {A Single-Crystalline, Epitaxial SrTiO3 Thin-Film Transistor},
author = {Kosuke Uchida and Akira Yoshikawa and Kunihito Koumoto and Takeharu Kato and Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4341},
year = {2010}
}
备注
12 pages, 4 figures