氧化物薄膜晶体管的高通量制备与半自动化表征
应用物理
2020-02-19 v1 材料科学
摘要
众所周知，高通量实验方法能够加速电子材料的研究、开发和部署。例如，具有成分、厚度或其他参数横向梯度的薄膜，已与空间分辨表征技术结合使用，以评估在不同测量条件下各种物理因素如何影响材料性质。类似地，包含此类梯度薄膜作为一层或多层的多层电子器件，也可以通过空间表征来优化其性能。在这项工作中，我们将这些高通量实验方法应用于薄膜晶体管（TFT），以溅射的铟镓锌氧化物（IGZO）TFT作为案例研究，展示了组合器件制备和半自动化表征。我们展示了在TFT库中可以产生外在和内在两种类型的器件梯度，例如沟道厚度和长度、沟道阳离子成分以及沉积过程中的氧气氛围。我们还提出了一种半自动化方法，用于测量在50x50mm基板上制备的44个器件，该方法有助于识别库中功能正常的TFT并在短时间内完成测量。最后，我们为类似的TFT库提出了一种全自动化表征系统，该系统可与高通量数据分析相结合。这些结果表明，高通量方法能够加速对TFT及其他电子器件的研究。
引用
@article{arxiv.1908.08287,
title = {High-throughput fabrication and semi-automated characterization of oxide thin film transistors},
author = {Yanbing Han and Sage Bauers and Qun Zhang and Andriy Zakutayev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08287},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 8 figures