基于Cascode配置实现a-IGZO薄膜晶体管3D单体集成于GaN HEMT，突破电压>1900V

本研究演示了以非晶铌镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（TFTs）实现对银氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）的3D单体集成，达到超过1900伏的高击穿电压能力。制造并评估了两种器件配置，区别在于a-IGZO通道厚度（30 nm / 10 nm）。样本B采用10 nm a-IGZO通道，展示出卓越的电性能，包括约10^7的高ON/OFF电流比、低亚阈值摆幅（SS），以及超过1900伏的高击穿电压，相当于 standalone GaN功率HEMT。结果凸显了3D集成TFT于GaN功率HEMT的可行性与潜力，为TFTs在高压应用开辟了新机遇。