面向未来射频前端的氮化镓声子集成电路

实现无源声波器件（特别是射频滤波器）与有源器件（如射频放大器和开关）的单片集成，是满足移动设备严苛通信需求的最优解，尤其在我们迈向 6G 时代之际。这需要将射频无源器件的尺寸显著（≈100倍）缩小，从当前器件的 mm$^2$ footprint 降至未来系统的数十 ${\mu}m^2$。借鉴集成光子学的思想，我们展示了高频（>3 GHz）声波可利用碳化硅（SiC）上氮化镓（GaN）平台中可用的强速度对比，在 ${\mu}$m 尺度的氮化镓（GaN）波导中被高效导引。鉴于 GaN 器件在射频放大器中的既定应用，我们的工作开启了在 SiC 上 GaN 中构建单片集成射频前端的可能性。