质量负载薄膜氮化镓表面声波器件中的高频导模谐振
应用物理
2021-09-27 v1
摘要
我们利用声学导模（兰姆波）谐振，在蓝宝石和碳化硅衬底上的未释放薄膜氮化镓（GaN）中展示了高频（> 3 GHz）、高品质因数射频（RF）谐振器。由金电极质量负载引起的能量俘获，使我们能够从 50 输入高效地激发这些谐振。更高的相速度结合更低的电极阻尼，使得在中等电极节距下实现高品质因数成为可能，并为高频压电器件提供了一条可行途径。GaN 平台能够在芯片表面导引和局域高频声波，并可集成高性能有源器件，将成为单片集成射频前端的关键构建模块。
引用
@article{arxiv.1910.08169,
title = {High frequency guided mode resonances in mass-loaded, thin film gallium nitride surface acoustic wave devices},
author = {Stefano Valle and Manikant Singh and Martin Cryan and Martin Kuball and Krishna C. Balram},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.08169},
year = {2021}
}
备注
5 pages, Submitted for review