异质衬底上用于 sub-6 GHz 射频前端模块的单片集成多频段声学器件
信号处理
2021-10-22 v1
摘要
通过在碳化硅衬底上的铌酸锂(LN)薄膜(LNOSiC)上采用同一工艺流程,成功演示了多频段(1.4~6.0 GHz)射频声学器件的单片集成。提出了一种具有下沉能量分布的新型表面模式,表现出降低的传播损耗。展示了具有抑制横向模式和泄漏模式的表面波与兰姆波谐振器,显示出从 1.4 到 5.7 GHz 的可扩展谐振、介于 7.9% 与 29.3% 之间的机电耦合系数(k2),以及大于 3200 的最大 Bode-Q (Qmax)。实现了具有小面积(4.0 x 2.5 mm2)但不同中心频率(fc)和 3-dB 分数带宽(FBW)的阵列滤波器,显示出 fc 从 1.4 到 6.0 GHz、FBW 介于 3.3% 与 13.3% 之间、以及插入损耗(IL)介于 0.59 与 2.10 dB 之间。这些结果可能推动百滤波器级 sub-6 GHz 射频前端模块(RF-FEMs)的进展。
引用
@article{arxiv.2110.10385,
title = {Monolithic Integrated Multiband Acoustic Devices on Heterogeneous Substrate for Sub-6 GHz RF-FEMs},
author = {Shibin Zhang and Hongyan Zhou and Pengcheng Zheng and Jinbo Wu and Liping Zhang and Zhongxu Li and Kai Huang and Xin Ou and Xi Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.10385},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 19 figures