基于单次连续光刻工艺在薄膜铌酸锂上制备单片集成有源无源波导阵列
光学
2022-09-13 v1 应用物理
摘要
我们通过拼接无源（即不掺杂活性离子）薄膜铌酸锂（TFLN）与有源（即掺杂稀土离子）TFLN 衬底，展示了一种稳健的低损耗光接口，用于无源/有源铌酸锂光子学的单片集成。该拼接衬底由有源与无源区域共同组成，可利用单次连续光刻工艺一次性完成集成有源无源光子器件的掩模图形化。测得拼接衬底的接口损耗低至 0.26 dB。得益于该方法所提供的稳定性，我们直接实现了四通道波导放大器，在 1550 nm 波长处每通道净增益约 5 dB，在 1530 nm 波长处约 8 dB。这种用于无源/有源光子集成的稳健低损耗光接口，将促进需要片上光源与放大器的大规模高性能光子器件的发展。
引用
@article{arxiv.2209.04898,
title = {Monolithically integrated active passive waveguide array fabricated on thin film lithium niobate using a single continuous photolithography process},
author = {Yuan Zhou and Yiran Zhu and Zhiwei Fang and Shupeng Yu and Ting Huang and Junxia Zhou and Rongbo Wu and Jian Liu and Yu Ma and Zhe Wang and Jianping Yu and Zhaoxiang Liu and Haisu Zhang and Zhenhua Wang and Min Wang and Ya Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.04898},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 5 figures