面向薄膜铌酸锂波导器件的高效偏振无关边缘耦合器
光学
2020-09-09 v1 应用物理
摘要
铌酸锂（LN）器件因其诱人的光学特性已广泛用于光通信与非线性光学。绝缘体上薄膜铌酸锂（LNOI）的出现极大提升了基于 LN 的器件性能。然而，面向实际应用的 LNOI 基器件仍亟需高效的光纤-芯片光耦合器。本文演示了一种基于 LNOI 的高效、偏振无关边缘耦合器。该耦合器采用标准半导体工艺制备，当与模场直径约 3.2 微米的超高数值孔径光纤（UHNAF）耦合时，在 1550 nm 处对 TE/TM 光每端面分别呈现 0.54 dB/0.59 dB 的低光纤-芯片耦合损耗。在长于 1527 nm 的波长下，TE 与 TM 光每端面耦合损耗均低于 1 dB。我们还证明了其对光不对准具有较大容差。该耦合器在高光功率与温度变化下展现出良好稳定性。
引用
@article{arxiv.2009.02855,
title = {High-efficient and polarization independent edge coupler for thin-film lithium niobite waveguide devices},
author = {Changran Hu and An Pan and Tingan Li and Xuanhao Wang and Yuheng Liu and Shiqi Tao and Cheng Zeng and Jinsong Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02855},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 6 figures