晶圆级低损耗铌酸锂光子集成电路
应用物理
2020-08-26 v1 光学
摘要
薄膜铌酸锂(LN)光子集成电路(PICs)可在电光与非线性光学器件中实现超高性能和。迄今其实现仅限于芯片级概念验证。此处我们展示采用深紫外光刻在4英寸与6英寸晶圆上制备的单片LN PICs，并实现平滑均匀刻蚀，在晶圆级达成0.27 dB/cm光传播损耗。我们的结果表明LN PICs具本质可扩展性且可具高成本效益。
引用
@article{arxiv.2007.06498,
title = {Wafer-scale low-loss lithium niobate photonic integrated circuits},
author = {Kevin Luke and Prashanta Kharel and Christian Reimer and Lingyan He and Marko Loncar and Mian Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.06498},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures