用于铌酸锂光子集成电路的低损耗光纤-芯片接口
应用物理
2019-05-23 v1 光学
摘要
集成铌酸锂（LN）光子电路最近已成为实现高速调制、非线性频率转换和频率梳生成等先进光子功能的有前途的候选者。对于实际应用，具有低光纤-芯片耦合损耗的光学接口至关重要。迄今为止，光纤-芯片损耗（通常 > 10 dB）主导了典型LN光子集成电路的总插入损耗，其中片上传播损耗可低至0.03 - 0.1 dB/cm。在此，我们实验演示了一种用于标准透镜光纤与亚微米LN脊波导之间耦合的低损耗模场转换器。该耦合器由两个反向锥形组成，将脊波导的小光模转换为LN纳米线的对称导模，具有与锥形光纤匹配的更大模场面积。测得的光纤-芯片耦合损耗低于1.7 dB/端面，且具有高制备容差和可重复性。我们的结果为与光纤高效接口的实用集成LN光子电路打开了大门。
引用
@article{arxiv.1902.08969,
title = {Low-loss fiber-to-chip interface for lithium niobate photonic integrated circuits},
author = {Lingyan He and Mian Zhang and Amirhassan Shams-Ansari and Rongrong Zhu and Cheng Wang and Marko Loncar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.08969},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 5 figures