基于掺铒绝缘体上薄膜铌酸锂的倾斜多模干涉器实现的片上波分复用
光学
2024-01-12 v1 应用物理
摘要
基于掺铒绝缘体上薄膜铌酸锂的光子集成电路，迄今已展示了多种波导放大器和微激光器，引起了广泛关注。铒离子的宽带吸收和发射促成的宽带操作，需要在同一芯片上实现波长滤波器和复用器的功能集成。本文在采用光刻辅助化学机械刻蚀技术制造的掺铒绝缘体上薄膜铌酸锂上，基于倾斜多模干涉器，实现了一种低损耗波分复用器，工作于铒离子的共振泵浦和发射波长（~1480 nm 和 1530~1560 nm）。所制造器件的最小片上插入损耗在两个波长范围内均 <0.7 dB，且在电信 C 波段测得 3-dB 带宽 >20 nm。此外，通过铒离子的可见上转换荧光直接可视化多模干涉图样，与模拟的多模干涉器中的光传播吻合良好。还展示并讨论了通过结构设计对波分复用器进行光谱调谐。
引用
@article{arxiv.2401.05970,
title = {On-chip wavelength division multiplexing by angled multimode interferometer fabricated on erbium-doped thin film lithium niobate on insulator},
author = {Jinli Han and Rui Bao and Rongbo Wu and Zhaoxiang Liu and Zhe Wang and Chao Sun and Zhihao Zhang and Mengqi Li and Zhiwei Fang and Min Wang and Haisu Zhang and Ya Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.05970},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 5 figures