由逆设计芯片反射器增强的掺铥锂氮波导放大器
光学
2025-04-08 v1
摘要
本研究提出了一种由逆设计芯片反射器增强的3.6 cm长掺铥锂氮波导放大器. 通过在波导末端集成反射器, 实现了40.5 dB的内部净增益, 较无反射器放大器在小信号条件下实现了17.3 dB的增益提升. 通过消除双向泵浦需求，降低了系统复杂度。这些结果突出了一种新的策略，用于优化集成光学放大器，将高增益与简化的体系结构相结合。该方法为推动高密度光子集成系统的发展，展示了逆设计在针对实际应用定制光子器件性能方面的有效性。
引用
@article{arxiv.2504.04149,
title = {Erbium-doped lithium niobate waveguide amplifier enhanced by an inverse-designed on-chip reflector},
author = {Zhiwei Wei and Jiangwei Wu and Chengyu Chen and Hao Li and Wenjie Wan and Xianfeng Chen and Yuping Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.04149},
year = {2025}
}