厚绝缘体上锂铌氧化物平台上的逆向设计宽带低损耗光栅耦合器
光学
2023-09-25 v1 应用物理
摘要
采用逆向设计方法，在700 nm厚的Z切绝缘体上锂铌氧化物平台上设计并优化了一种具有高耦合效率、大带宽和高制备容差的光栅耦合器。该优化光栅耦合器通过单套电子束光刻与刻蚀工艺制备，实验表征显示其在1574.93 nm处峰值耦合效率为-3.8 dB，1 dB带宽为71.7 nm，3 dB带宽超过120 nm。
引用
@article{arxiv.2309.12976,
title = {Inverse-designed broadband low-loss grating coupler on thick lithium-niobate-on-insulator platform},
author = {Yijun Xie and Mingming Nie and Shu-Wei Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.12976},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 4 figures