绝缘体上硅中的超紧凑低损耗宽带波导锥形器
光学
2017-11-28 v1 应用物理
摘要
提出了一种大带宽、制造容差、CMOS兼容的紧凑型锥形器(15 μm)的新设计，并在绝缘体上硅中进行了实验演示。所提出的锥形器与用于模斑转换的线性光栅耦合器一起，在1550 nm波段相比标准聚焦光栅在耦合效率上未表现出退化。单个锥形器设计具有超过600 nm的宽带工作范围，可用于O、C和L波段。所提出的紧凑锥形器对制造变化高度容差；锥形器宽度变化80 nm和末端波导宽度变化200 nm使锥形器传输变化<0.4 dB。该器件的占地面积（即锥形器与线性光栅一起）约为250 μm²；这比绝热锥形器小20倍，比聚焦光栅耦合器小2倍。
引用
@article{arxiv.1705.01698,
title = {Ultra-compact low-loss broadband waveguide taper in silicon-on-insulator},
author = {Purnima Sethi and Anubhab Haldar and Shankar Selvaraja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01698},
year = {2017}
}