薄膜铌酸锂上片上集成 Yb3+ 掺杂波导放大器
光学
2022-02-24 v1 应用物理
摘要
我们报道了通过光刻辅助化学机械抛光制备的薄膜铌酸锂上 Yb3+ 掺杂波导放大器（YDWA）的制备与光学表征。所制备的 Yb3+ 掺杂铌酸锂波导在 1030 nm 处传播损耗为 0.13 dB/cm，在 1060 nm 处为 0.1 dB/cm。在 4.0 cm 长波导上，由 976 nm 激光二极管泵浦，测得 1030 nm 处内部净增益 5 dB、1060 nm 处 8 dB，表明单位长度增益分别为 1030 nm 处 1.25 dB/cm 与 1060 nm 处 2 dB/cm。集成的 Yb3+ 掺杂铌酸锂波导放大器将有益于强大增益平台的发展，并有望促进基于薄膜铌酸锂的光子芯片的高密度集成。
引用
@article{arxiv.2202.11548,
title = {On-chip integrated Yb3+-doped waveguide amplifiers on thin film lithium niobate},
author = {Zhihao Zhang and Zhiwei Fang and Junxia Zhou and Youting Liang and Yuan Zhou and Zhe Wang and Jian Liu and Ting Huang and Rui Bao and Jianping Yu and Haisu Zhang and Min Wang and Ya Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.11548},
year = {2022}
}
备注
4 pages, 6 figures