采用 ITO 复合电极、调制效率达 1V*cm 的高性能薄膜铌酸锂调制器
光学
2023-11-10 v1 应用物理
摘要
基于薄膜铌酸锂（TFLN）的电光调制器因其大带宽、高消光比和低光损耗等优势而广泛应用于宽带光通信领域，为下一代高性能电光调制器带来新可能。然而，与基于硅和磷化铟（InP）的同类产品相比，TFLN 调制器的调制效率仍相对较低。受半波电压与调制长度间权衡的限制，难以同时获得低驱动电压与大调制带宽。在此，我们通过引入透明导电氧化物（TCO）薄膜打破该限制，在 O 波段实现了 1.02 V*cm 的超高调制效率。所制备的复合电极不仅实现了高调制效率，还保持了高电光带宽，如 108 GHz 处 3 dB 滚降及 224 Gbit/s 的 PAM-4 信号传输所示。我们的器件为下一代低成本高性能电光调制器提供了新方案，并为缩小基于 TFLN 的多通道光发射机芯片尺寸铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2311.05119,
title = {High Performance Thin-film Lithium Niobate Modulator Applied ITO Composite Electrode with Modulation Efficiency of 1V*cm},
author = {Xiangyu Meng and Can Yuan and Xingran Cheng and Shuai Yuan and Chenglin Shang and An Pan and Zhicheng Qu and Xuanhao Wang and Peijie Zhang and Chengcheng Gui and Chao Chen and Cheng Zeng and Jinsong Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.05119},
year = {2023}
}
备注
16 pages, 8 figures