利用光刻辅助化学机械刻蚀制造的紧凑型低半波电压薄膜铌酸锂电光相位调制器
光学
2024-06-14 v1 应用物理
摘要
本文介绍了一种利用光刻辅助化学机械刻蚀（PLACE）技术制造的紧凑型双臂薄膜铌酸锂（TFLN）电光相位调制器。该器件设计充分利用了微波电场，理论上调制效率是单臂调制器的两倍。半波电压约为3 V，调制长度为1 cm，性能优于传统相位调制器。此外，该相位调制器在1510-1600 nm波长范围内对光波长敏感度低，插入损耗低至2.8 dB。还展示了在输入微波功率为2 W时产生多个边带信号用于光频梳应用的能力，产生了29个边带信号。
引用
@article{arxiv.2406.08744,
title = {Compact low-half-wave-voltage thin film lithium niobate electro-optic phase modulator fabricated by photolithography assisted chemo-mechanical etching},
author = {Lang Gao and Youting Liang and Jinming Chen and Jianping Yu and Jia Qi and Lvbin Song and Jian Liu and Zhaoxiang Liu and Hongxin Qi and Ya Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.08744},
year = {2024}
}