微转印薄膜铌酸锂（TFLN）-硅基环形调制器
光学
2024-04-16 v1 应用物理
摘要
薄膜铌酸锂（TFLN）在构建高性能电光（EO）调制器方面已有公认成效。然而，其CMOS不兼容性以及对非标准刻蚀的需求，在可扩展性、标准化和集成复杂性方面持续带来挑战。异质集成旨在解决这一关键挑战。薄膜铌酸锂的微转印通过简便的“拾取与放置”将TFLN引入成熟的硅生态系统，在构建高密度、低成本、高度通用的异质集成电路中展现出巨大潜力。在此，我们首次演示了一种微转印薄膜铌酸锂（TFLN）-硅基环形调制器，这是迈向高性能铌酸锂调制器与紧凑可扩展硅电路密集集成的重要一步。所展示的器件具有-1.5dB的插入损耗、-37dB的消光比、16GHz的电光带宽以及高达45Gps的调制速率。
引用
@article{arxiv.2311.15387,
title = {Micro-transfer-printed Thin film lithium niobate (TFLN)-on-Silicon Ring Modulator},
author = {Ying Tan and Shengpu Niu and Maximilien Billet and Nishant Singh and Margot Niels and Tom Vanackere and Joris Van Kerrebrouck and Gunther Roelkens and Bart Kuyken and Dries Van Thourhout},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.15387},
year = {2024}
}
备注
8 figures,10 pages. ACS Photonics 2024