无直接铌酸锂刻蚀的 110 GHz 带宽集成铌酸锂调制器
光学
2023-11-27 v4 仪器与探测器
摘要
集成薄膜铌酸锂（TFLN）调制器因其高调制速率与低驱动电压，正成为高速数据处理与传输的一种引人注目的方案。制备集成 TFLN 调制器的关键步骤是对 TFLN 的高质量刻蚀，这通常需要对制备工艺进行长期优化并依赖专用设备。本文提出一种通过将低折射率脊加载波导集成到 TFLN 上而无需直接刻蚀 TFLN 的集成 TFLN 调制器。基于对所提设计的理论与设计方法的系统研究，我们实验演示了一种无 TFLN 刻蚀的马赫-曾德尔调制器，其具备高达 110 GHz 的平坦电光响应与 2.53 V cm 的电压-长度积。通过显著简化制备工艺，我们的设计为低成本大规模生产高速集成 TFLN 调制器开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2308.03073,
title = {110-GHz bandwidth integrated lithium niobate modulator without direct lithium niobate etching},
author = {Yifan Qi and Gongcheng Yue and Ting Hao and Yang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.03073},
year = {2023}
}