面向光子集成电路的富硅氮化物-绝缘体上铌酸锂平台
应用物理
2024-06-19 v1 光学
摘要
本文提出了一种带有波导及若干关键组件的富硅氮化物-绝缘体上铌酸锂（SRN-LNOI）混合平台。富硅氮化物-铌酸锂脊载波导（1 um x 300 nm）在1550 nm处的传播损耗为2.6 dB/cm。无源器件，包括绝热功率分配器、基于多模干涉的分配器、非对称马赫-曾德尔干涉仪和布拉格光栅滤波器，均已完整设计并表征。此外，我们报道了基于LNOI的马赫-曾德尔调制器的首次演示，其高速调制可达120 GBaud且无需数字补偿。因此，所提出的平台可实现低损耗、高集成密度且与互补金属氧化物半导体技术（CMOS）兼容的高性能无源与有源器件，使其成为新兴光子集成电路的有力候选者。
引用
@article{arxiv.2105.07880,
title = {Silicon rich nitride-lithium niobate on insulator platform for photonics integrated circuits},
author = {Yang Liu and Xingrui Huang and Zezheng Li and Huan Guan and Zhongchao Fan and Weihua Han and Zhiyong Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.07880},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 13 figures