面向 100 Gbit/s 及更高速率的高性能硅与铌酸锂混合马赫-曾德尔调制器
应用物理
2019-05-07 v2
摘要
光调制器是光通信链路的核心。理想情况下，它们应具备低插入损耗、低驱动电压、大调制带宽、高线性度、小尺寸 footprint 以及低制造成本。遗憾的是，这些指标此前仅在各自独立的场合中分别实现。基于硅与铌酸锂混合集成平台，我们展示了可同时满足上述指标的马赫-曾德尔调制器。所呈现的器件具有 2.5 dB 插入损耗、2.2 Vcm 电压-长度积、高线性度、至少 70 GHz 的电光带宽以及高达 112 Gbit/s 的调制速率。该高性能调制器通过将基于铌酸锂（最成熟的调制器材料）的高对比度波导与紧凑、低损耗的硅基电路无缝集成而实现。此处展示的混合平台允许组合“同类最佳”的有源与无源器件，为实现未来高速、节能且具成本效益的光通信网络开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1807.10362,
title = {High-Performance Hybrid Silicon and Lithium Niobate Mach-Zehnder Modulators for 100 Gbit/s and Beyond},
author = {Mingbo He and Mengyue Xu and Yuxuan Ren and Jian Jian and Ziliang Ruan and Yongsheng Xu and Shengqian Gao and Shihao Sun and Xueqin Wen and Lidan Zhou and Lin Liu and Changjian Guo and Hui Chen and Siyuan Yu and Liu Liu and Xinlun Cai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10362},
year = {2019}
}
备注
Main Manuscript: 4 figures, 1 table Supplementary Information: 9 figures