超高消光比双输出薄膜铌酸锂强度调制器

低电压、宽带宽的紧凑型电光调制器是实现未来通信和网络需求的关键构件。薄膜铌酸锂的制备与应用近期取得的进展，以及其与基于硅的光子集成电路的集成，使其成为此类器件的理想平台。本工作中，提出了一种基于氮化硅和薄膜铌酸锂材料体系的高消光比双输出折叠电光马赫-曾德尔调制器。该调制器的相互作用区长度为 11 mm，物理长度为 7.8 mm。该器件使用片上光纤耦合器实现了约 12 dB 的纤到纤损耗，以及小于 3.0 V 的直流半波电压（V$\pi$），即调制效率（V$\pi\cdot$L）为 3.3 V$\cdot$cm。该器件显示出约 30 GHz 的 3 dB 带宽。值得注意的是，该器件在每个输出端口实现了超过 45 dB 的功率消光比，且无需级联定向耦合器或额外的控制电路；比先前报道的器件约好 31 倍。配合平衡光电二极管接收机，该调制器可用于各种光子通信系统。这种检测方案与差分相移键控和差分正交相移键控等复杂调制格式兼容，其中双输出、超高消光比器件对于系统的低噪声运行至关重要。