用于低损耗氮化硅集成光子学的具有超高消光比的热光调制器
光学
2026-01-28 v1
摘要
极低损耗的氮化硅集成电路是量子技术、高性能与模拟计算、非线性光学、光探测与测距（LiDAR）以及生物技术等前沿应用日益增长的潜在平台。然而，具有宽频率响应、高对比度、低功耗和可规模化制造的高效光学调制仍然是氮化硅集成光子学的关键挑战之一。在此，我们提出了一种工作在C波段的、带有隔离沟槽的集成热光移相器。所制造的热光调制器能够在65 mW功耗、12 kHz带宽下实现π相移，消光比（ER）超过80 dB。此外，我们系统地证明了其与低损耗氮化硅光子集成电路的兼容性，该电路采用微环谐振器，平均品质因数超过5.9×10^6，对应传播损耗为0.058 dB/cm。
引用
@article{arxiv.2601.19732,
title = {Thermo-optic modulator with ultra-high extinction ratio for low-loss silicon nitride integrated photonics},
author = {Dmitriy Serkin and Kirill Buzaverov and Aleksandr Baburin and Evgeny Sergeev and Sergey Avdeev and Evgeniy Lotkov and Sergey Bukatin and Ilya Stepanov and Aleksey Kramarenko and Ali Amiraslanov and Ilya Ryzhikov and Ilya Rodionov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.19732},
year = {2026}
}
备注
13 pages, 10 figures, 2 tables