硅氮化物平台的集成电光吸收调制器
光学
2024-12-31 v2 应用物理
摘要
硅氮化物（SiN）目前是可见光和近红外波长带宽中最突出的光子学平台。然而，在硅氮化物平台上实现快速电光（EO）调制器——这是任何集成光学平台的关键组件——仍然具有挑战性。最近，透明导电氧化物（TCO）已涌现为光子集成电路的有前景的平台。本文报告了首次基于硅氮化物波导的高速 ITO 电光调制器。对于 300 纳米厚度的硅氮化物波导平台搭载 9.3 微米长度的混合波导，显示插入损耗为 5.7 dB，带宽约为 1 GHz。器件的制造工艺仅需使用标准洗净室工具，制作可重复且与 CMOS 技术兼容。优化器设备设计的仿真结果表明，进一步的改进是可能的，并为基于 ITO 的硅氮化物光子计算平台提供了前景的机遇。
引用
@article{arxiv.2412.19306,
title = {Integrated Electro-Optic Absorption Modulator for Silicon Nitride Platform},
author = {Evgeniy S. Lotkov and Alexander S. Baburin and Ali S. Amiraslanov and Evgeniy Chubchev and Alexander Dorofeenko and Evgeniy Andrianov and Ilya A. Ryzhikov and Evgeny S. Sergeev and Kirill Buzaverov and Sergei S. Avdeev and Alex Kramarenko and Sergei Bukatin and Victor I. Polozov and Olga S. Sorokina and Yuri V. Panfilov and Daria P. Kulikova and Alexander V. Baryshev and Ilya A. Rodionov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.19306},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 4 figures