近红外波长下线性和非线性光子学的氮氧化硅平台
光学
2022-08-12 v1
摘要
在光子集成电路面向量子信息与传感未来应用的背景下，开发多功能新型材料平台对集成光子学至关重要。在此我们提出一种基于高折射率氮氧化硅（\ce{SiON}）的低损耗材料平台，其在宽范围红/近红外波长上为线性和非线性光学应用提供了显著特性。所展示的可见光波段传播损耗 ~dB/cm 使得实现用于光子操控的长程复杂电路以及高品质因子谐振器成为可能。此外，所提出的 \ce{SiON} 展现出 ~m/W 的高非线性系数，增强了可用于片上光子生成方案的非线性效应强度。
引用
@article{arxiv.2206.04388,
title = {Silicon oxynitride platform for linear and nonlinear photonics at NIR wavelengths},
author = {Gioele Piccoli and Matteo Sanna and Massimo Borghi and Lorenzo Pavesi and Mher Ghulinyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04388},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 8 figures