用于集成光子学的碳化硅
光学
2024-06-12 v2 应用物理
摘要
芯片级集成光子学的最新进展促进了具有理想光学性质的材料平台的快速发展。在目前研究的不同材料平台中，第三代半导体碳化硅提供了最广泛的功能范围，包括宽禁带、高光学非线性、高折射率以及与 CMOS 兼容的器件制造工艺。在此，我们概述了基于 SiC 的集成光子学，介绍了其基本光学与光电性质研究的最新进展，以及构成低损耗、高功能且与工业兼容的集成光子平台基本构件的几种典型光限制结构制造方法的最新发展。此外，还总结并讨论了近期将 SiC 作为量子信息应用的光学可读自旋宿主的工作。作为一个仍在发展中的集成光子平台，本文还讨论了 SiC 材料平台在集成光子学领域的前景与挑战，并提出了潜在的解决方案。
引用
@article{arxiv.2203.11646,
title = {Silicon carbide for integrated photonics},
author = {Ailun Yi and Chengli Wang and Liping Zhou and Min Zhou and Shibin Zhang and Tiangui You and Jiaxiang Zhang and Xin Ou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.11646},
year = {2024}
}
备注
47pages, 15 figures