用于低温混合光子集成的高质量非晶碳化硅
光学
2023-06-08 v1 应用物理
摘要
近年来集成光子平台大量涌现，各自展现出独特的优势与不足。然而，鉴于不同平台在工艺上的不兼容性，将不同光学材料的优势结合于单一混合集成平台仍是集成光子学领域的一项艰巨挑战。碳化硅因具有高折射率、强二阶与三阶非线性以及在可见光与近红外波段宽广的透明窗口而备受关注。然而，SiC 的集成一直较为困难，现有方法依赖于转移键合技术，该技术耗时、昂贵且层厚精度不足。在此，我们展示了在 150C 下沉积的高折射率非晶碳化硅（a-SiC）薄膜，并通过制备标准光子波导与环形谐振器验证了该平台的高性能。单模环形谐振器的本征品质因数处于 范围，对应于 0.78-1.06 dB/cm 的光学损耗。我们随后展示了该平台与超低损耗薄 SiN 及 LiNbO 平台未来异质集成的潜力。
引用
@article{arxiv.2306.04491,
title = {High-quality amorphous Silicon Carbide for hybrid photonic integration at low temperature},
author = {Bruno Lopez-Rodriguez and Roald Van Der Kolk and Samarth Aggarwal and Naresh Sharma and Zizheng Li and Daniel Van Der Plaats and Thomas Scholte and Jin Chang and Silvania F. Pereira and Simon Groeblacher and Harish Bhaskaran and Iman Esmaeil Zadeh Zadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.04491},
year = {2023}
}