碳化硅中单色心的可扩展量子光子学
光学
2017-04-05 v3 材料科学
量子物理
摘要
碳化硅是基于单个色心的单光子源、量子比特（qubits）和纳米传感器的有前景的平台。为实现此目标，我们开发了可扩展的纳米柱阵列，其集成了4H-SiC中的单个硅空位中心，便于与自由空间物镜和带透镜光纤高效接口。商业获得的衬底用2 MeV电子束辐照以产生空位。随后的光刻工艺形成高800 nm、直径400-1400 nm的纳米柱。我们获得了高收集效率，来自单个硅空位中心的光学饱和速率高达22 kcounts/s，同时保留了单光子发射和光诱导电子自旋极化特性。我们的研究证明了碳化硅作为依赖于单光子源和量子比特的可扩展量子光子学架构的易得平台。
引用
@article{arxiv.1612.02874,
title = {Scalable Quantum Photonics with Single Color Centers in Silicon Carbide},
author = {Marina Radulaski and Matthias Widmann and Matthias Niethammer and Jingyuan Linda Zhang and Sang-Yun Lee and Torsten Rendler and Konstantinos G. Lagoudakis and Nguyen Tien Son and Erik Janzén and Takeshi Ohshima and Jörg Wrachtrup and Jelena Vučković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02874},
year = {2017}
}
备注
18 pages, 8 figures