碳化硅中具有高相干自旋光学性质的纳米加工与集成色心
量子物理
2022-04-01 v2
摘要
碳化硅（SiC）中光学可寻址的自旋缺陷是量子信息处理的新兴平台。它们能够适应现代半导体纳米加工技术，有望实现可扩展的高效自旋-光子界面。我们在此展示了 4H-SiC 中硅空位中心（VSi）的纳米级加工，且未恶化其本征自旋光学性质。特别地，我们展示了通过离子注入和在三角形截面波导中产生的单缺陷的近变换极限光子发射和创纪录的自旋相干时间。对于后者，我们进一步展示了对附近核自旋量子比特的受控操作，这对于基于腔量子电动力学的容错量子信息分发至关重要。
引用
@article{arxiv.2109.04737,
title = {Nanofabricated and integrated colour centres in silicon carbide with high-coherence spin-optical properties},
author = {Charles Babin and Rainer Stöhr and Naoya Morioka and Tobias Linkewitz and Timo Steidl and Raphael Wörnle and Di Liu and Erik Hesselmeier and Vadim Vorobyov and Andrej Denisenko and Mario Hentschel and Christian Gobert and Patrick Berwian and Georgy V. Astakhov and Wolfgang Knolle and Sridhar Majety and Pranta Saha and Marina Radulaski and Nguyen Tien Son and Jawad Ul-Hassan and Florian Kaiser and Jörg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.04737},
year = {2022}
}
备注
18 pages, 4 figures