碳化硅中二向色性硅空位的量子性质
量子物理
2018-04-04 v2
摘要
固体中类原子缺陷的受控生成与操纵在量子技术中有广泛应用。尽管各种缺陷中心已显示出作为量子传感器、单光子发射体或光-物质界面的前景，但对具有多功能的理想缺陷的探索仍然开放。本着这一精神，我们在此研究V1缺陷中心的光学和自旋性质，它是碳化硅(SiC)的4H多型中的一种硅空位缺陷。4H-SiC中的V1中心具有两个可清晰区分的尖锐光学跃迁和一个独特的S=3/2电子自旋，这为实现鲁棒的自旋-光子界面提供了前景。在此，我们使用光学激发和磁共振技术低温研究V1缺陷。在系综以及单中心上进行的测量证明，该中心结合了相干光学发射（高达40%的辐射发射到零声子线(ZPL)中）、强光学自旋信号和长自旋相干时间。这些结果突显出SiC中的V1缺陷是基于自旋的量子技术的一个有前景的系统。
引用
@article{arxiv.1707.02715,
title = {Quantum properties of dichroic silicon vacancies in silicon carbide},
author = {Roland Nagy and Matthias Widmann and Matthias Niethammer and Durga B. R. Dasari and Ilja Gerhardt and Öney O. Soykal and Marina Radulaski and Takeshi Ohshima and Jelena Vučković and Nguyen Tien Son and Ivan G. Ivanov and Sophia E. Economou and Cristian Bonato and Sang-Yun Lee and Jörg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.02715},
year = {2018}
}