6H-SiC 中自旋 3/2 硅空位中心的实验表征
量子物理
2020-04-29 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
碳化硅（SiC）承载许多有趣的缺陷，有望作为一系列先进量子技术的量子比特。其中一些具有非常有趣的性质，使其具有潜在用途，例如作为静止量子比特与飞行量子比特之间的接口。在此我们给出 6H-SiC 多型体中硅空位自旋相关性质的详细综述。这包括温度依赖的光致发光、光探测磁共振，以及自旋在自由进动期间和在不同重聚焦方案影响下的纵向与横向分量的弛豫时间。
引用
@article{arxiv.2001.06842,
title = {Experimental characterization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC},
author = {Harpreet Singh and Andrei N. Anisimov and Sergei S. Nagalyuk and Eugenii N. Mokhov and Pavel G. Baranov and Dieter Suter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06842},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 13 figures