6H-SiC 中不同硅空位中心的辨识
介观与纳米尺度物理
2022-12-21 v1 量子物理
摘要
碳化硅(SiC)中的硅空位已被提出作为量子技术应用的引人关注候选者，如量子传感和量子中继器。SiC 以许多具有不同平面堆垛序列的多型体存在，且在每种多型体中，空位可占据多种不同晶格位点。在这项工作中，我们表征并辨识了 6H-SiC 多型体中三种最重要的带电硅空位。我们在不同射频功率水平和不同温度下记录了光致发光和连续波光探测磁共振谱。我们在低温下单独选择不同硅空位的零声子线并记录相应的光探测磁共振(ODMR)谱。ODMR 使我们能够关联光学和磁共振谱，从而解决早期工作中的争议。
引用
@article{arxiv.2212.10256,
title = {Identification of different silicon vacancy centers in 6H-SiC},
author = {Harpreet Singh and Andrei N. Anisimov and Pavel G. Baranov and Dieter Suter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.10256},
year = {2022}
}