3C、4H和6H硅碳化物多态体中电活性缺陷综述
材料科学
2025-05-27 v1
摘要
本文旨在批判性地综述通过接触谱测技术（深电荷瞬态谱和少子载流子瞬态谱）研究的电活性缺陷，这些技术在三种最常用的硅碳化物（SiC）多态体：3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC中进行研究。
引用
@article{arxiv.2502.14426,
title = {Electrically active defects in 3C, 4H and 6H silicon carbide polytypes: A review},
author = {Ivana Capan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.14426},
year = {2025}
}
备注
22 pages, 10 figures