3C 相碳化硅半导体的电子输运
材料科学
2023-03-17 v1
摘要
在本工作中，我们从理论上研究了名为 3C-SiC 的 3C 相碳化硅半导体的电子迁移率。3C-SiC 已在极端条件应用中展现出巨大潜力。因此，研究该半导体的电子迁移率具有极大意义。本工作中理论推导了：在恒定电场下，n 型掺杂 3C-SiC 半导体中载流子的漂移速度、位移与迁移率。分析了这些输运性质对电场强度与温度的依赖关系。为此，使用了一个带源项（低强度电场）和运动阻力项（电阻）的微分方程。
引用
@article{arxiv.2303.09457,
title = {Electronic Transport in the Silicon Carbide Semiconductor in Phase 3C},
author = {Amanda M. D. Corrêa and Clóves Gonçalves Rodrigues},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.09457},
year = {2023}
}
备注
in Portuguese language