离子液体诱导的高载流子密度低迁移率硅的金属态
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v2 材料科学
摘要
高迁移率稀二维电子系统在最低实验温度下也表现出金属行为。在离子液体门控绝缘硅的研究中，我们观察到在低迁移率样品中，在比高迁移率样品高得多的面载流子密度下向金属态的转变。我们还观察到当载流子密度增加到超过时，金属样品中出现迁移率峰值。
引用
@article{arxiv.1505.00656,
title = {Metallic State of Low Mobility Silicon at High Carrier density induced by an Ionic Liquid},
author = {JJ Nelson and A. M. Goldman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.00656},
year = {2015}
}