高迁移率 2D InAs 异质结构中的表观金属 - 绝缘体转变
介观与纳米尺度物理
2014-10-15 v3
摘要
我们报告了在限制于 InAs 量子阱中的二维电子气中首次观测到表观金属 - 绝缘体转变。在高密度下，我们发现载流子迁移率受背景带电杂质限制，且电阻率的温度依赖性表现出金属行为，即电阻率随温度升高而增加。在低密度下，我们在临界密度 cm 以下观察到绝缘行为，即电阻率随温度升高而降低。我们利用源于随机背景带电杂质屏蔽失效的渗流模型分析了这一转变。我们还通过在表面引入远程电离杂质在实验上考察了渗流转变。通过在冷却过程中施加偏压，我们改变了表面屏蔽电荷，从而强烈影响了临界密度。我们的研究表明，我们系统中从金属相到绝缘相的转变是由于渗流转变引起的。
引用
@article{arxiv.1407.7541,
title = {An apparent metal insulator transition in high mobility 2D InAs heterostructures},
author = {J. Shabani and S. Das Sarma and C. J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7541},
year = {2014}
}