二维空穴气在B=0时的重返绝缘体-金属-绝缘体转变
强关联电子
2009-10-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在低至30mK的温度下,GaAs二维(2D)空穴气在B=0时观察到重返绝缘体-金属-绝缘体转变。在最低载流子密度下,空穴被强烈局域化。随着载流子密度增加,形成金属相,在 = ~5e^2/h处出现明显转变。进一步增加密度会削弱金属行为,并最终导致在 > ~50e^2/h时形成第二绝缘态。在高载流子密度极限下,即大且小时,我们恢复了先前关于弱相互作用系统在二维中不存在金属态的研究结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9808108,
title = {Re-entrant insulator-metal-insulator transition at B=0 in a two dimensional hole gas},
author = {A. R. Hamilton and M. Y. Simmons and M. Pepper and E. H. Linfield and P. D. Rose and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9808108},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figs, revtex & latex2e