连接二维空穴系统中的重入绝缘相与零场金属-绝缘体相变
强关联电子
2012-03-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在二维金属-绝缘体相变临界点附近（临界密度 低至 /cm，）的 10 nm 宽 GaAs 量子阱中空穴密度的输运和电容测量。对于金属性空穴密度 /cm，在 量子霍尔态与零场金属态之间观察到重入绝缘相（RIP），并将其归因于钉扎维格纳晶体的形成。通过输运和电容实验研究 RIP 随二维空穴密度的演化，我们表明 RIP 是不可压缩的，并且与零场绝缘体连续连接，暗示这两个相具有相似的起源。
引用
@article{arxiv.1109.5232,
title = {Connecting the Reentrant Insulating Phase and the Zero Field Metal-Insulator Transition in a 2D Hole System},
author = {Richard L. J. Qiu and Xuan P. A. Gao and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5232},
year = {2012}
}
备注
pdf with higher resolution figures and other related papers can be found at http://gaogroup.case.edu