Si/SiGe量子阱中的标度与金属-绝缘体转变
介观与纳米尺度物理
2009-10-30 v1
摘要
二维电子系统中零磁场下金属-绝缘体转变的存在最近已在高质量Si-MOSFET中得到证实。在这项工作中，门控Si/SiGe/Si量子阱结构的电阻率温度依赖性揭示了在零磁场下作为载流子密度函数的类似金属-绝缘体转变。我们还报告了限制在SiGe量子阱中的稀薄二维空穴气体的电阻率温度依赖性中存在库仑隙的证据。此外，绝缘相中的电阻率用单一参数标度，并且与样品无关。这些结果与SiGe方形量子阱中由强空穴-空穴相互作用驱动的零磁场金属-绝缘体转变的发生一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9708201,
title = {Scaling and the Metal-Insulator Transition in Si/SiGe Quantum Wells},
author = {J. Lam and M. D'Iorio and D. Brown and H. Lafontaine},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9708201},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures, LaTeX