二维中 B=0 处可能的金属/绝缘体转变
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们研究了硅中独特的高迁移率二维电子系统的零磁场电阻率。在非常低的电子密度下（但高于某个依赖样品的临界值 cm），传统的弱局域化被电阻率在温度低于 1--2 K 时随温度降低而急剧下降一个数量级所压倒。在低至至少 20 mK 的温度下，没有看到电子局域化的进一步证据。对于 ，样品是绝缘的。经验发现，电阻率在 之上和之下均以单一参数随温度标度，该参数在 处趋近于零，表明存在金属/绝缘体相变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9405082,
title = {Possible Metal/Insulator Transition at B=0 in Two Dimensions},
author = {S. V. Kravchenko and G. V. Kravchenko and J. E. Furneaux and V. M. Pudalov and M. D'Iorio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9405082},
year = {2009}
}
备注
10 pages; REVTeX v3.0; 3 POSTSCRIPT figures available upon request; to be published in PRB, Rapid Commun