二维金属-绝缘体转变中混合相与逾渗的证据
强关联电子
2019-04-12 v3
摘要
硅MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中强相互作用二维电子系统的面内磁电导在明确电子密度 处表现出无可置疑的扭折。 处的扭折靠近但不在由电阻率测量确定的临界密度 ，且 出现的密度随温度变化。这些特征与量子相变的预期不一致。我们反而提出这是一个逾渗转变，并提出了基于混合绝缘与金属相形成的详细模型，其中金属-绝缘体转变通过逾渗发生。
引用
@article{arxiv.1811.04954,
title = {Evidence for mixed phases and percolation at the metal-insulator transition in two dimensions},
author = {Shiqi Li and Qing Zhang and Pouyan Ghaemi and M. P. Sarachik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.04954},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 7 figures