强磁场诱导的硅从能带绝缘体到金属的二级相变
材料科学
2022-09-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们给出了由强磁场诱导的从能带绝缘体到金属的二级相变。通过含非微扰磁场的相对论紧束缚近似方法 [Phys. Rev. B 97, 195135 (2018)]，研究了浸没于磁场中的晶体硅的磁化强度与能带隙的磁场依赖关系。结果表明，能带隙在 2.22x (T) 的临界磁场下消失。在临界磁场处，磁化强度的磁场依赖表现出扭折行为，这意味着该现象是从能带绝缘体到金属的二级相变。研究发现，在高于临界磁场的强磁场中，即金属相中，出现了磁化强度的振荡。结果表明，这一磁振荡来源于磁布里渊区中从占据态变为未占据态或相反的能带。
引用
@article{arxiv.2208.14690,
title = {Second-order phase transition of silicon from a band insulator to metal induced by strong magnetic fields},
author = {Katsuhiko Higuchi and Dipendra Bahadur Hamal and Masahiko Higuchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.14690},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 10 figures